6月29日配资开户大全，韩国产业通商资源部长金正官宣布，韩国将投入800万亿韩元（约合3.52万亿元人民币）在西南光州、全罗区域建设四座存储芯片晶圆制造厂，旨在打造继首都圈之后全国第二大半导体产业集群。其中，三星电子和SK海力士共同出资81万亿韩元，在忠清道建设先进封装基地，专门满足AI高带宽存储（HBM）扩产需求。
这800万亿韩元主要投向光州前道晶圆制造环节，由三星和SK海力士各承建两座晶圆厂，以缓解当前首都圈龙仁、平泽厂区电力和工业用水资源饱和问题。此外，政府还划拨81万亿韩元用于忠清道的规模化先进封装集群建设，并提供30万亿韩元专项资金，未来15年内支持芯片研发、设计和测试等全产业链发展。
此次半导体产业投资规划是韩国政府推出的“三大超级国家级项目”之一，推动三星电子、SK海力士及其他企业分别布局半导体产业、实体人工智能和人工智能数据中心三大领域的大规模投资。据金正官介绍，政府将加快企业投资进程，新建晶圆厂的落地建设周期将大幅提前至2030年代中期。
同日，三星宣布将在韩国龙仁市和平泽市的半导体产业集群投资2030万亿韩元，总额达2655万亿韩元（约合11.68万亿元人民币）。三星电子会长李在镕表示，公司正考虑在光州建设新的投资基地，并计划在龟尾推进机器人投资、在仁川布局生物医药投资、在蔚山投资电池业务、在釜山投资半导体基板业务。
SK集团也计划新增1100万亿韩元（约合4.84万亿元人民币）投资，其中400万亿韩元将投至韩国西南部地区。集团计划到2035年建成15吉瓦（GW）AI数据中心容量，总投资规模将达到1000万亿韩元。
两家存储巨头敢于同步进行大规模资本开支，得益于此前创纪录的财务表现。SK海力士2026年一季度财报显示，单季营收达52.58万亿韩元，同比增长198%，营业利润37.61万亿韩元，同比增幅超400%。该公司在全球HBM市场份额中占据55%以上，英伟达新一代GPU七成HBM订单由其供应。三星电子一季度同样实现营收和利润大幅增长，DRAM和NAND基础存储业务保持全球领先地位。
值得注意的是，SK海力士已于6月24日向美国SEC提交上市申请，计划在纳斯达克上市，股票代码为“SKHY”。机构分析师认为，美国投资者购买其股票有望获得20%的上涨空间。同时，有消息称三星电子也可能效仿SK海力士，在美股市场发行ADR，此举将有助于改善韩国半导体企业的估值。
回顾韩国半导体产业发展历史，上一轮巨额逆周期资本投入还要追溯至2008年的全球金融危机。当时，三星逆势投入200亿美元扩建存储工厂，并启动3D NAND技术研发。而本次800万亿韩元国家级规划，从投资体量和覆盖产业链完整度来看，超过以往任何一轮周期扩张。
金正官预计配资开户大全，未来五年全球存储芯片市场规模将增长至目前的四倍。花旗集团对韩国芯片制造设备类股持乐观态度，认为韩国政府主导的大规模投资将推动该国半导体供应链的增长。然而，也有分析指出，尽管AI专用存储芯片所需产能规模远超传统消费级存储，短期内不存在严重过剩风险，但长期仍需警惕行业周期性波动带来的价格下行压力。
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